Resumen

Se depositaron películas finas de TiO2 sobre obleas de silicio sin calentar (100) y portaobjetos de vidrio mediante pulverización catódica reactiva de CC pulsada en un sistema de vacío ultraalto (UHV). Se estudiaron los efectos tanto de la presión de operación como del tiempo de deposición sobre la estructura de la película, la morfología de la superficie y las propiedades ópticas. La estructura y la microestructura de la película se caracterizaron mediante la técnica de difracción de rayos X de incidencia gravimétrica (GIXRD) y microscopía electrónica de transmisión (TEM). La morfología de la superficie se investigó mediante microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FE-SEM). Las propiedades ópticas de las películas delgadas de TiO2 se determinaron mediante elipsometría espectroscópica (SE). También se utilizó la medición del ángulo de contacto con el agua para determinar la hidrofilicidad de las películas tras exponerlas a luz UV. Los resultados sugirieron que la película fina de TiO2 de menos de 40 nm era amorfa. A medida que se aumentaba el espesor, comenzaba a formarse la mezcla de fases anatasa y rutilo del TiO2. Al reducir la presión de operación durante la deposición de la película, también se puede aumentar el componente de fase rutilo. Tanto el aumento del espesor de la película como la disminución de la presión de operación fueron los factores críticos para mejorar la hidrofilicidad de las películas delgadas de TiO2.

• Materias:Biotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanotubos Análisis espectroquímico
• Subjects:Biotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanotubes Spectrochemical analysis
• Palabras claves:presión de operación, películas delgadas, tio2, estructura de la película, propiedad óptica, morfología de la superficie, medida del ángulo de contacto con el agua, componente de fase rutilo, microscopía electrónica de transmisión, obleas de silicio sin calentar
• Keywords:operating pressure, thin films, tio2, film structure, optical property, surface morphology, water contact angle measurement, rutile phase component, transmission electron microscopy, unheated silicon wafers