Resumen

En este artículo se presenta un análisis de las estructuras cristalinas de las capas de Al0,4Ga0,6N dopadas con Si crecidas sobre una capa tampón de AlGaN no dopada intencionadamente con una capa de nucleación de AlN mediante deposición química de vapor orgánico metálico. Se observan picos de reflexión cúbicos débiles de Al0,4Ga0,6N (002) y (103) en los barridos θ/2θ de DRX de alta resolución y el modo cúbico de Al0,4Ga0,6N (LO) en la espectroscopia de dispersión Raman. Estos subgranos cúbicos se localizan en la interfaz inferior de la capa dopada con Si debido a la baja temperatura de crecimiento pulsado y a la atmósfera rica en hidrógeno al inicio de la inyección de silano. Su aparición no tiene relación directa con la capa tampón y de nucleación. Este estudio es útil no sólo para comprender las propiedades fundamentales de las aleaciones de AlGaN dopadas con Si y con alto contenido en aluminio, sino también para proporcionar orientación específica sobre la fabricación de dispositivos optoelectrónicos multicapa en los que pueden aparecer subgranos cúbicos débiles que ejercen una influencia complicada en el rendimiento del dispositivo.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:alto contenido en aluminio si, deposición química orgánica de vapor, capa de nucleación aln, al0.4ga0.6n cúbico débil, menor temperatura de crecimiento, dispositivos optoelectrónicos multicapa, atmósfera rica en hidrógeno, subgranos cúbicos débiles, capa, capas al0.4ga0.6n
• Keywords:high aluminum content si, organic chemical vapor deposition, aln nucleation layer, weak cubic al0.4ga0.6n, lower growth temperature, multilayer optoelectronic devices, rich hydrogen atmosphere, weak cubic subgrains, layer, al0.4ga0.6n layers