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Artículo

Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(45/55) Thin Film on Silicon SubstrateFerroelectricidad, piezoelectricidad y dielectricidad de una película delgada de 0,06PMnN-0,94PZT(45/55) sobre sustrato de silicio

Resumen

Las películas delgadas ferroeléctricas de alta piezoelectricidad y alto factor de calidad son importantes para las aplicaciones electromecánicas, especialmente para los sistemas microelectromecánicos (MEMS). Las películas delgadas ferroeléctricas compuestas ternarias 0,06Pb(Mn1/3, Nb2/3)O3 0,94Pb(Zr0,45, Ti0,55)O3 (0,06PMnN-0,94PZT(45/55)) se depositaron sobre sustratos de silicio(100) mediante el método de pulverización catódica por magnetrón de RF, considerando que el dopaje con Mn y Nb mejoraría las propiedades de PZT en esta investigación. A modo de comparación, también se depositaron películas de PZT(45/55) sin dopar. Los resultados muestran que ambas películas delgadas presentan estructuras policristalinas con orientaciones principales (111) y (101). Los coeficientes piezoeléctricos transversales son e 31 , e f f = - 4,03 C/m2 y e 31 , e f f = - 3,5 C/m2, respectivamente. Estas láminas delgadas presentan ferroelectricidad clásica, en la que las intensidades del campo eléctrico coercitivo son 2 E c = 147,31 kV/cm y 2 E c = 135,44 kV/cm, y la polarización de saturación P s = 30,86 μC/cm2 y P s = 17,74 μC/cm2, y la polarización remanente P r = 20,44 μC/cm2 y P r = 9,87 μC/cm2, respectivamente. Además, las constantes dieléctricas y la pérdida son ε r = 681 y D = 5 y ε r = 537 y D = 4,3 %, respectivamente. En conclusión, las láminas delgadas de 0,06PMnN-0,94PZT(45/55) actúan mejor que las no dopadas, aunque sus constantes dieléctricas sean mayores. Sus excelentes propiedades de ferroelectricidad, piezoelectricidad, alta potencia y almacenamiento de energía, especialmente su fácil fabricación, integración realizable y factor de calidad potencialmente alto, hacen que este tipo de películas delgadas estén disponibles para aplicaciones realistas.

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