Resumen

Presentamos un estudio numérico sobre las fluctuaciones de resistencia en una serie de rejillas basadas en nanocables. Cada rejilla está formada por nanocables de GaAs dispuestos en paralelo con contactos metálicos que cruzan todos los nanocables perpendicularmente. Las propiedades eléctricas de los nanocables de GaAs, conocidas gracias a investigaciones experimentales previas, se utilizan como parámetros de entrada en el procedimiento de simulación. Debido al dopaje no homogéneo, la resistividad cambia a lo largo del nanohilo. Permitiendo dos posibles orientaciones de los nanohilos ("hacia arriba" o "hacia abajo"), la malla resultante está parcialmente desordenada en dirección vertical, lo que provoca fluctuaciones de resistencia. El sistema se modela mediante una red de resistencias aleatorias bidimensional. El algoritmo de cálculo de la matriz de transferencia se utiliza para calcular la resistencia total de la red. Se observa que la función de densidad de probabilidad (PDF) de las fluctuaciones de resistencia para una serie de rejillas de nanocables cambia del comportamiento gaussiano hacia la distribución de Bramwell-Holdsworth-Pinton cuando ambas orientaciones de nanocables están representadas por igual en la rejilla.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:fluctuaciones de la resistencia, rejilla, nanocables gaas, red de resistencias aleatoria dimensional, algoritmo de cálculo matricial, cambios en las rejillas de nanocables, posibles orientaciones de nanocables, investigación experimental previa, función de densidad de probabilidad, resistencia total de la red
• Keywords:resistance fluctuations, grid, gaas nanowires, dimensional random resistor network, matrix computation algorithm, nanowire grids changes, possible nanowire orientations, previous experimental research, probability density function, total network resistance