Resumen

En este trabajo se propone que el arseniuro de galio (GaAs) puede enfocar el haz ultravioleta mediante la excitación directa de los polaritones de plasmón superficial. Tanto el análisis teórico como la simulación por ordenador demostraron que el GaAs podía ser un material plasmónico razonablemente bueno en el aire en la banda de onda ultravioleta profunda. Con una estructura de ojo de buey adecuadamente diseñada y grabada en GaAs, el campo eléctrico ultravioleta podría aumentar hasta 20 veces el valor incidente, y el ancho completo-medio-máximo (FWHM) del haz de luz podría reducirse de ~48° a ~6°. Como material plasmónico, el GaAs se comparó con el Ag y el Al. Dentro de la banda de ondas ultravioleta estudiada, el aumento del campo en el GaAs fue mucho mayor que en el Ag, pero no tan alto como en el Al.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:gaas, banda de onda ultravioleta profunda, buen material plasmónico, polaritones de plasmón superficial, simulación por ordenador, excitación directa, campo eléctrico, estructura del ojo, aumento del campo, arseniuro de galio
• Keywords:gaas, deep ultraviolet waveband, good plasmonic material, surface plasmon polaritons, computer simulation, direct excitation, electric field, eye structure, field enhancement, gallium arsenide