Resumen

Las capas atómicas de nitruro de boro hexagonal (h-BN) han atraído mucha atención como material potencial de dispositivos para futuras aplicaciones de nanoelectrónica, optoelectrónica y espintrónica. El objetivo de esta revisión es describir los trabajos recientes del estudio funcional de densidad de primeros principios sobre las capas de h-BN. Se muestran las propiedades físicas inducidas por la introducción de varios tipos de defectos en las capas de h-BN. Además, se discute la relación entre el tamaño del defecto, la deformación y las propiedades magnéticas y electrónicas.

• Materias:Cinética Industria del cemento Metales Cemento Ingeniería de estructuras Perforación de pozos de minas
• Subjects:Kinetics Cement industries Metals Cement Structural engineering Shaft sinking
• Palabras claves:capa de bn, material potencial para dispositivos, nitruro de boro hexagonal, tipo de defectos, atrajo mucha atención, capa atómica, aplicación de espintrónica, varios tipos, propiedad electrónica, tamaño de los defectos
• Keywords:bn layer, potential device material, hexagonal boron nitride, kind of defects, attracted much attention, atomic layer, spintronics application, various kind, electronic property, defects size