Biblioteca122.739 documentos en línea

Artículo

Controlled Pore Formation on Mesoporous Single Crystalline Silicon Nanowires: Threshold and MechanismsFormación controlada de poros en nanocables mesoporosos de silicio monocristalino: Umbral y mecanismos

Resumen

Los nanocables de silicio se preparan mediante el método del grabado químico húmedo asistido por metal en dos pasos. Analizamos la estructura de las superficies sólidas, rugosas y porosas de nanohilos de sustratos de silicio dopado con boro con resistividades de ρ > 1000 Ωcm, ρ = 14-23 Ωcm y ρ < 0,01 Ωcm mediante microscopía electrónica de barrido y adsorción de gas nitrógeno. Los nanocables de silicio preparados a partir de silicio altamente dopado revelan mesoporos en su superficie. Sin embargo, encontramos un límite para la formación de poros. Sólo se formaron poros al grabar por debajo de una concentración crítica de H2O2 (cH2O2<0,3 M). Además, determinamos la distribución del tamaño de los poros en función de los parámetros de grabado y caracterizamos la morfología de los poros en la superficie de los nanocables. Los poros se encuentran en el régimen de mesoporos pequeños con un diámetro medio de 9-13 nm. La estructura cristalina y superficial de los nanocables mesoporosos individuales se investigó mediante microscopía electrónica de transmisión. Las propiedades vibracionales de los conjuntos de nanocables se investigaron mediante espectroscopia Raman. Los nanohilos de silicio fuertemente dopados con boro son muy porosos y la malla de nanoescala de silicio monocristalino restante provoca un corrimiento al rojo y un fuerte ensanchamiento asimétrico de la línea para la dispersión Raman por fonones ópticos a 520 cm-1. Este desplazamiento al rojo, λSi bulk=520 cm-1 →λSi nanocable=512 cm-1, indica un confinamiento de fonones en los nanocables mesoporosos de silicio monocristalino.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento