Resumen

Se ha estudiado el comportamiento de recocido de multicapas muy finas de SiO2/Ge depositadas sobre sustrato de Si mediante deposición por pistola electrónica en alto vacío. Se ha demostrado que, tras el recocido a temperaturas moderadas (800°C) en atmósfera inerte, el Ge se difunde completamente de la matriz de SiO2 dejando pequeños vacíos esféricos (de unos 3 nm) incrustados en la matriz de SiO2. Estos huecos están muy bien correlacionados y se forman a distancias gobernadas por la estructura multicapa preexistente (en dirección vertical) y la autoorganización (en dirección horizontal). Las películas formadas producen una intensa fotoluminiscencia (PL) con un pico a 500 nm. La dinámica explorada del decaimiento de la PL muestra la existencia de un proceso muy rápido similar al encontrado en las capas de interfaz defectuosas de Ge/SiO2.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:matriz, multicapas ge, decaimiento pl, sustrato si, deposición por pistola, alto vacío, dirección horizontal, atmósfera inerte, fotoluminiscencia intensiva, capas de interfaz
• Keywords:matrix, ge multilayers, pl decay, si substrate, gun deposition, high vacuum, horizontal direction, inert atmosphere, intensive photoluminescence, interface layers