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ZnO Nanowire Formation by Two-Step Deposition Method Using Energy-Controlled Hollow-Type Magnetron RF PlasmaFormación de nanocables de ZnO por el método de deposición en dos pasos utilizando plasma de RF de magnetrón de tipo hueco controlado por energía

Resumen

Los nanocables de ZnO se produjeron en plasma de descarga de RF (radiofrecuencia). Se empleó una técnica de deposición en dos pasos. En el primer paso, se pulverizaron átomos de zinc desde un blanco de zinc para crear núcleos de zinc en un sustrato antes del crecimiento de la nanoestructura de ZnO. En este caso, utilizamos plasma de argón puro para el sputtering físico. En el segundo paso, empleamos una descarga de oxígeno mezclado con argón, donde los radicales de oxígeno reaccionaron con los núcleos de zinc para formar nanoestructuras de ZnO. En el plasma de O2/Ar se controlaron parámetros experimentales como la relación de flujo de gas y el voltaje de polarización del blanco. Las propiedades de las deposiciones se analizaron mediante SEM y espectroscopia Raman. Se observó que en el segundo paso se formaban muchos nanohilos plegados y agrupados. El diámetro de los alambres era normalmente de 10-100 nm. También se analizó el mecanismo de crecimiento de los nanocables de ZnO.

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