Biblioteca122.739 documentos en línea

Artículos

Formation of Al2O3-HfO2 Eutectic EBC Film on Silicon Carbide SubstrateFormación de película eutéctica EBC de Al2O3-HfO2 sobre sustrato de carburo de silicio

Resumen

Se resumen el mecanismo de formación de la estructura eutéctica Al2O3-HfO2, el método de preparación y el mecanismo de formación de la capa eutéctica EBC sobre el sustrato de carburo de silicio. La película eutéctica EBC de Al2O3-HfO2 se prepara mediante el método de fusión por zona óptica sobre el sustrato de carburo de silicio. A alta temperatura, una pequeña cantidad de carburo de silicio se descompone en silicio y carbono. Los componentes de Al2O3 y HfO2 en fase fundida también reaccionan con el carbono libre. La fase Al2O3 reacciona con el carbono libre y se forman especies de vapor de la fase AlO. La composición de la fase fundida se vuelve rica en HfO2 a partir de la composición eutéctica. La fase HfO2 también reacciona con el carbono libre y se forma la fase HfC en el sustrato de carburo de silicio; a continuación, se forma una capa intermedia de alta densidad. La adherencia entre la capa intermedia y el sustrato es excelente por un efecto de anclaje. Cuando el proceso de solidificación finaliza antes de que toda la fase HfO2 se reduzca a fase HfC, se forma una capa funcionalmente graduada HfC-HfO2 sobre el sustrato de carburo de silicio y la estructura eutéctica Al2O3-HfO2 crece desde la parte superior de la capa intermedia.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento