Se resumen el mecanismo de formación de la estructura eutéctica Al2O3-HfO2, el método de preparación y el mecanismo de formación de la capa eutéctica EBC sobre el sustrato de carburo de silicio. La película eutéctica EBC de Al2O3-HfO2 se prepara mediante el método de fusión por zona óptica sobre el sustrato de carburo de silicio. A alta temperatura, una pequeña cantidad de carburo de silicio se descompone en silicio y carbono. Los componentes de Al2O3 y HfO2 en fase fundida también reaccionan con el carbono libre. La fase Al2O3 reacciona con el carbono libre y se forman especies de vapor de la fase AlO. La composición de la fase fundida se vuelve rica en HfO2 a partir de la composición eutéctica. La fase HfO2 también reacciona con el carbono libre y se forma la fase HfC en el sustrato de carburo de silicio; a continuación, se forma una capa intermedia de alta densidad. La adherencia entre la capa intermedia y el sustrato es excelente por un efecto de anclaje. Cuando el proceso de solidificación finaliza antes de que toda la fase HfO2 se reduzca a fase HfC, se forma una capa funcionalmente graduada HfC-HfO2 sobre el sustrato de carburo de silicio y la estructura eutéctica Al2O3-HfO2 crece desde la parte superior de la capa intermedia.
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