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Formation of Dense Pore Structure by Te Addition in Bi0.5Sb1.5Te3: An Approach to Minimize Lattice Thermal ConductivityFormación de una estructura de poros densa por adición de Te en Bi0.5Sb1.5Te3: Un enfoque para minimizar la conductividad térmica de la red

Resumen

En el presente trabajo se describen las propiedades electrónicas y de transporte térmico de bultos policristalinos de Bi0,5Sb1,5Te3 de tipo p con estructura de poro denso. La estructura de poros densos se fabricó mediante la vaporización de Te residual durante el recocido sin presión de polvos Bi0.5Sb1.5Te3 recubiertos de Te sinterizados por plasma de chispa. La conductividad térmica de la red se redujo de forma efectiva al valor de 0,35 W m-1 K-1 a 300 K debido principalmente a la dispersión de fonones por los poros, mientras que el factor de potencia no se vio afectado de forma significativa. Se obtuvo una ZT mejorada de 1,24 a 300 K en bultos sinterizados por plasma de chispa y recocidos de Bi0,5Sb1,5Te3 recubiertos con 3 % en peso de Te gracias a estos efectos sinérgicos.

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Información del documento

  • Titulo:Formation of Dense Pore Structure by Te Addition in Bi0.5Sb1.5Te3: An Approach to Minimize Lattice Thermal Conductivity
  • Autor:Syed Waqar, Hasan; Hyeona, Mun; Sang Il, Kim; Jung Young, Cho; Jong Wook, Roh; Sangsun, Yang; Soon-Mok, Choi; Kyu Hyoung, Lee; Sung Wng, Kim
  • Tipo:Artículo
  • Año:2013
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
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