Se utilizó el método de pulverización cinética para fabricar in situ una película de compuesto intermetálico (IMC) de cobre (Cu) y estaño (Sn) con un espesor aproximado de 1 μm utilizando una mezcla de polvo de Cu y Sn. Se mezclaron polvos micronizados de Cu (~5 μm) y Sn (~10 μm) en una proporción de 45 :55 % en peso, respectivamente, y luego se depositaron sobre un sustrato de silicio, formando una capa IMC. La composición real de la película depositada se midió en una proporción Cu :Sn de 36 : 64 % en peso (pulverización cinética in situ a 200°C). Este proceso de pulverización cinética utiliza la fuente de energía de la colisión y la energía térmica simultáneamente, lo que conduce a la formación de una fase IMC. La fase IMC de Cu6Sn5 se formó con éxito a los 3 minutos de la deposición in situ. Además, obtuvimos una fase Cu6Sn5 cuando la película fina se recoció en un horno durante 1 hora inmediatamente después de la pulverización cinética a temperatura ambiente. Sin embargo, no se formó una fase IMC en la película fina cuando se pulverizó cinéticamente a temperatura ambiente seguida de calentamiento en una placa caliente durante 3 minutos. Parece que el suministro simultáneo de energía de colisión y de calor es crucial para dar lugar a la formación de la fase. Por lo tanto, hemos demostrado que el proceso de pulverización cinética es capaz de fabricar una capa superfina de película IMC en poco tiempo.
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