Resumen

Se propusieron capas epitaxiales de GaN con huecos de aire incrustados crecidas sobre plantillas de SiO2 AlN/zafiro. Utilizando la tecnología de sobrecrecimiento epitaxial lateral sin interrupción, se realizó un crecimiento ininterrumpido y se controló la forma de los huecos de aire incrustados. Estas capas mostraron una calidad cristalina mejorada mediante difracción de rayos X y medición de la densidad de las picaduras de grabado. En comparación con la película convencional de GaN sin dopar, la anchura máxima a la mitad de los picos de GaN (0 0 2) y (1 0 2) disminuyó de 485 a 376 segundos de arco y de 600 a 322 segundos de arco, respectivamente. Los resultados de microscopía electrónica de transmisión mostraron que el crecimiento coalescente del GaN dio lugar a una dislocación de hilos de flexión. También propusimos un modelo de crecimiento basado en los resultados de la microscopía electrónica de barrido.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:arcsec, huecos de aire, resultados de microscopía electrónica de transmisión, tecnología de sobrecrecimiento lateral epitaxial libre, gan, película gan, crecimiento gan, calidad cristalina, microscopía electrónica, capas epitaxiales
• Keywords:arcsec, air voids, transmission electron microscopy results, free epitaxial lateral overgrowth technology, gan, gan film, gan growth, crystal quality, electron microscopy, epitaxial layers