Se han fabricado fotocátodos de NiO sensibilizados con semiconductores mediante el método de adsorción y reacción sucesivas de capas iónicas (SILAR) depositando puntos cuánticos de CdTeO3 sobre películas mesoscópicas de NiO. Se ha fabricado una célula solar utilizando un fotocátodo mesoporoso de NiO depositado sobre CdTeO3. Produce una fotovoltaje de 103,7 mV y una densidad de corriente de cortocircuito de 0,364 mA/cm2. El valor de la eficiencia de conversión de fotón incidente en corriente (IPCE) es de 12 para la célula solar NiO/CdTeO3 de nuevo diseño. Esto demuestra que la estructura NiO/CdTeO3 de tipo p se puede utilizar con éxito para fabricar células solares de tipo p.
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