Resumen

Se presenta la fabricación y caracterización de fotodetectores de silicio a 1550 nm basados en el efecto de fotoemisión interna. Hemos investigado dos tipos de estructuras: dispositivos a granel e integrados. Los primeros están constituidos por una microcavidad Fabry-Perot que incorpora un diodo Schottky, y se calculó experimentalmente su rendimiento en términos de responsividad, rango espectral libre y finura, con el fin de demostrar una mejora de la responsividad debida al efecto de cavidad. Los resultados muestran un pico de responsividad de aproximadamente 0,01 mA/W a 1550 nm con una polarización inversa de 100 mV. Estos últimos están constituidos por una unión Schottky colocada transversalmente al campo óptico confinado en la guía de ondas. Los resultados preliminares muestran una capacidad de respuesta de aproximadamente 0,1 mA/W a 1550 nm con una polarización inversa de 1 V y un comportamiento eficiente tanto en la banda C como en la L. Por último, se deduce una estimación del ancho de banda para el rango de GHz de ambos dispositivos. Los pasos tecnológicos utilizados para fabricar los dispositivos permiten una integración monolítica eficiente con estructuras compatibles con semiconductores complementarios de óxido metálico (CMOS).

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:reactividad, polarización inversa, rango espectral libre, efecto de fotoemisión interna, dispositivos, rango ghz, bandas l, microcavidad perot, resultados preliminares, diodo schottky
• Keywords:responsivity, reverse bias, free spectral range, internal photoemission effect, devices, ghz range, l bands, perot microcavity, preliminary results, schottky diode