Resumen

Se ha depositado Cu2O sobre sustratos de cuarzo mediante deposición por pulverización catódica con haz de iones reactivos. Los resultados experimentales muestran que, controlando los caudales de argón/oxígeno, se pueden obtener muestras de Cu2O de tipo n y de tipo p. El bandgap del Cu2O de tipo n y de tipo p resultó ser de 2,3 y 2,5 eV, respectivamente. El estudio de fotoluminiscencia a temperatura variable muestra que la conductividad tipo-n se debe a la presencia de defectos de vacantes de oxígeno. Ambas muestras muestran una respuesta de fotocorriente estable que el cambio de fotocorriente de ambas muestras tras 1.000 segundos de funcionamiento es inferior al 5%. Las densidades de portadores resultaron ser de 1,90 × 1018 y 2,24 × 1016 cm-3 para el Cu2O de tipo n y de tipo p, respectivamente. Se han calculado las energías de Fermi y se han construido estructuras de banda simplificadas. Nuestros resultados muestran que el Cu2O es un candidato plausible para materiales de electrodos fotoanódicos y fotocátodos en aplicaciones fotoelectroquímicas.

• Materias:Polímeros Campos electromagnéticos Hornos de cemento Poliuretanos Nanopartículas Cemento
• Subjects:Polymers Electromagnetic fields Cement kilns Polyurethanes Nanoparticles Cement
• Palabras claves:tipo cu2o, tipo, material de electrodo fotocatódico, presencia de oxígeno, defectos de vacantes de oxígeno, respuesta de fotocorriente estable, segundo de operaciones, estudio de fotoluminiscencia de temperatura, deposición por pulverización catódica, caudal de oxígeno
• Keywords:type cu2o, type, photocathodic electrode material, presence of oxygen, oxygen vacancies defects, stable photocurrent response, second of operations, temperature photoluminescence study, beam sputter deposition, oxygen flow rate