Resumen

Hemos investigado experimentalmente la fotoluminiscencia potenciada por plasmones de los dispositivos emisores de luz (LED) de puntos cuánticos de silicio amorfo (a-Si QDs) con las nanoestructuras sándwich Ag/SiOx:a-Si QDs/Ag, a través del acoplamiento entre los a-Si QDs y el modo de polaritones de plasmones superficiales localizados (LSPPs), sintonizando una rejilla de Ag unidimensional (1D) en la parte superior. El acoplamiento de los plasmones superficiales en las interfaces Ag/SiOx:a-Si QDs superior e inferior dio lugar a los polaritones plasmónicos superficiales localizados (LSPPs) confinados bajo las líneas de Ag, que presentan la resonancia Fabry-Pérot. A partir del espectro Raman, se demuestra la existencia de QDs de a-Si incrustados en una película de SiOx rica en Si (SiOx:QDs de a-Si) a una temperatura de recocido baja (300°C) para evitar la posible difusión de átomos de Ag desde la película de Ag. Se investigaron los espectros de fotoluminiscencia (PL) de los QDs de a-Si que pueden ajustarse con precisión mediante una rejilla de Ag 1D con diferentes pasos y anchuras de línea de Ag. Se encontró que una estructura de rejilla de Ag optimizada, con un paso de 500 nm y una anchura de línea de Ag de 125 nm, conseguía una mejora de PL de hasta 4,8 veces a 526 nm y una intensidad integrada de PL de 2,46 veces en comparación con los LEDs de a-Si QDs sin estructura de rejilla de Ag, debido al fuerte acoplamiento de a-Si QDs-LSPPs.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:si qds, estructura reticular ag, siox, puntos cuánticos de silicio amorfo, nm de anchura de línea ag, anchura de línea ag, nanoestructuras sándwich ag, leds si qds, interfaces si qds, película rica siox
• Keywords:si qds, ag grating structure, siox, amorphous silicon quantum dots, nm ag line width, ag line widths, ag sandwich nanostructures, si qds leds, si qds interfaces, rich siox film