Se describen los enfoques teóricos de la función receptora y la respuesta del sensor de gas semiconductor, tras las ilustraciones de algunas cuestiones clave relevantes, como el transporte por efecto túnel. El agotamiento en pequeños cristales semiconductores se caracteriza por la aparición de un nuevo tipo de agotamiento (agotamiento volumétrico) tras el convencional (agotamiento regional), y la inclusión de ambos tipos permite formular la función receptora y la respuesta al oxígeno (base del aire), al gas oxidante (dióxido de nitrógeno) y al gas reductor (hidrógeno). Las ecuaciones derivadas teóricamente utilizando parámetros físicos del lado del semiconductor y parámetros químicos del lado de los gases parecen reproducir satisfactoriamente el comportamiento sensor a los gases mencionados, así como la influencia de cambios en parámetros físicos como el tamaño de grano y la densidad del donante. La extensión a los cristales semiconductores dispersos con trampas de electrones superficiales muestra que las trampas actúan como sensibilizadores para promover la respuesta del sensor.
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