Resumen

Se han realizado transistores de película fina de canal n y canal p sobre capas de nanopartículas (NP) de ZnO pulverizadas sobre sustratos de cuarzo. En este estudio, se sintetizaron nanopartículas de ZnO dopadas con nitrógeno mediante un método de evaporación con gas mediado por descarga de arco desarrollado recientemente. Las capas de NP pulverizadas se caracterizaron mediante microscopía electrónica de barrido y mediciones del efecto Hall. Se confirmó que las capas de NP con comportamiento de tipo p pueden obtenerse utilizando ZnO-NPs sintetizadas con una presión de cámara más baja, mientras que la conductividad de tipo n puede obtenerse con una presión de cámara más alta. También se ensayaron diodos de unión pn, obteniéndose unas características de rectificación claras. Se confirmó la posibilidad de una electrónica basada en el proceso de partículas de ZnO-NP.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:zno, capas de np, mediciones de efecto hall, mayor presión de cámara, menor presión de cámara, nps, electrónica de np, nanopartícula de zno, microscopía electrónica, método de evaporación
• Keywords:zno, np layers, hall effect measurements, higher chamber pressure, lower chamber pressure, nps, np electronics, zno nanoparticle, electron microscopy, evaporation method