Resumen

Se propone un interruptor semiconductor de protección controlado por puerta activa que utiliza SiC-MOSFET para conseguir un funcionamiento tolerante a fallos del convertidor CC-CC multicelda conectado en serie de entrada y en paralelo de salida (ISOP). El SiC-MOSFET con capacidad para altas temperaturas simplifica la configuración del circuito de protección, y su control de la resistencia de conexión mediante el controlador de puerta activa permite una protección suave sin sobretensiones ni sobrecorrientes. El primer prototipo de laboratorio del interruptor de protección se fabrica utilizando un SiC-MOSFET con un buck chopper de alta frecuencia para el controlador de puerta activa. Se verifica la eficacia del interruptor de protección propuesto, teniendo en cuenta el impacto de la reducción de volumen.

• Materias:Electroquímica Corriente dinámica híbrida Termomecánica Sistemas ciberfísicos
• Subjects:Electrochemistry Hybrid dynamic current Thermomechanics Cyber-physical systems
• Palabras claves:controlador de puerta activa, MOSFET, SiC, interruptor de protección, buck chopper de alta frecuencia, primer prototipo de laboratorio, capacidad para altas temperaturas, interruptor semiconductor de protección, entrada en serie, salida en paralelo
• Keywords:active gate controller, MOSFET, SiC, protection switch, high frequency buck chopper, first laboratory prototype, high temperature capability, semiconductor protection switch, Input Series, Output Parallel