Resumen

El gas de electrones bidimensional (2DEG) en una interfaz de óxido ha atraído una atención considerable para la investigación física y las aplicaciones nanoelectrónicas. Los primeros estudios informaron de la formación de 2DEG en interfaces semiconductoras (por ejemplo, heteroestructuras AlGaAs/GaAs) con interesantes propiedades eléctricas, como una elevada movilidad de electrones. Además de la formación de 2DEG en uniones de semiconductores, se observó la formación de 2DEG en la interfaz de una heteroestructura de óxido, como la heterounión LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO). El origen de la 2DEG se atribuyó, entre los mecanismos propuestos, al conocido mecanismo de "catástrofe polar" en heteroestructuras de óxido, que consisten en una capa epitaxial de LAO sobre un sustrato monocristalino de STO. Recientemente, se informó de que la creación de 2DEG se logró mediante la técnica de deposición de capas atómicas (ALD), lo que abre una nueva funcionalidad de ALD en la nanoelectrónica emergente. Esta revisión se centra en el origen de 2DEG en heteroestructuras de óxido mediante el proceso ALD. En particular, aborda el origen de 2DEG en interfaces de óxido basado en un mecanismo alternativo (es decir, vacantes de oxígeno).

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:origen, heteroestructuras de óxido, sustrato estocástico monocristalino, deposición de capa atómica, gas de electrones dimensional, capa lao epitaxial, alta movilidad de electrones, propiedades eléctricas interesantes, ald, formación
• Keywords:origin, oxide heterostructures, single crystalline sto substrate, atomic layer deposition, dimensional electron gas, epitaxial lao layer, high electron mobility, interesting electrical properties, ald, formation