Las geometrías y propiedades electrónicas de las divacancias con dos tipos de estructuras se investigaron mediante el método B3LYP/STO-3G de primeros principios (U) y el método de enlace tenso funcional de densidad de carga autoconsistente (SCC-DFTB). A diferencia de lo que se conoce sobre estas propiedades de la divacancia en el grafeno y los nanotubos de carbono, se descubrió que el estado básico de la divacancia con 585 configuraciones es el estado singlete de cáscara cerrada y mucho más estable que las 555777 configuraciones en los copos de grafeno más pequeños, que se prefiere al estado triplete. Pero cuando el tamaño del grafeno aumenta, los defectos 555777 son más estables. Además, en este trabajo se estudian las propiedades de densidad de espín de ambas configuraciones.
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