Resumen

Demostramos un dispositivo de memoria flash con grafeno depositado por vapor químico como capa de captura de carga. Se descubrió que la rugosidad RMS media del óxido de bloque sobre la capa de almacenamiento de grafeno puede reducirse significativamente de 5,9 nm a 0,5 nm mediante la inserción de una capa de metal semilla, lo que se verificó mediante mediciones AFM. La ventana de memoria es de 5,6 V para un barrido doble de ±12 V a temperatura ambiente. Además, se observó una histéresis reducida a baja temperatura, lo que indica que las moléculas de agua o los grupos -OH entre el grafeno y el dieléctrico desempeñan un papel importante en las ventanas de memoria.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:rugosidad media rms, capa de captura de carga, dispositivo de memoria flash, capa de almacenamiento de grafeno, capa de metal semilla, grafeno, mediciones afm, óxido en bloque, barrido dual, papel importante
• Keywords:average rms roughness, charge trapping layer, flash memory device, graphene storage layer, seed metal layer, graphene, afm measurements, block oxide, dual sweep, important role