Resumen

En primer lugar, tanto los átomos restantes como los adátomos de la superficie de Si(111)-7×7 se observan simultáneamente mediante microscopía de barrido en túnel (STM) cuando las tensiones de polarización de la muestra se mantienen por debajo de - 0,7 V. La visibilidad de los átomos restantes se racionaliza mediante cálculos de primer principio y una punta muy afilada puede resolverlos. En segundo lugar, el comportamiento de varias nanoestructuras de Ge fabricadas sobre Si(111)-7×7, que van desde los lugares de adsorción inicial de átomos individuales de Ge hasta los patrones de agregación de nanoclusters de Ge, pasando por islas de Ge extendidas en 2D, se investigan exhaustivamente mediante STM. Los átomos individuales de Ge tienden a sustituir a los adátomos de Si en Si(111)-7×7 con la preferencia de los adátomos de esquina en la media unidad fallada cuando se mantiene el sustrato a 150∘C. Al aumentar la cobertura de Ge, coexisten en el sustrato átomos individuales de Ge y nanocúmulos de Ge. Posteriormente, la densidad de los nanoclusters de Ge aumenta y la distribución de los clusters se vuelve gradualmente regular con la formación de la configuración hexagonal 2D extendida final. Cuando se mantiene el sustrato a 300∘C, aparecen en el sustrato islas de Ge formadas por reconstrucciones más complicadas con componentes de Ge/Si entremezclados. Las caracterizaciones estructurales detalladas y la naturaleza de enlace de las nanoestructuras de Ge observadas se enuncian mediante cálculos de primer principio.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:átomos de ge individuales, nanoclusters de ge, sustrato, islas de ge, cálculos de principio, átomos en reposo, sitios de adsorción iniciales, nanoestructuras de ge observadas, tensiones de polarización de la muestra, diversas nanoestructuras de ge
• Keywords:individual ge atoms, ge nanoclusters, substrate, ge islands, principle calculations, rest atoms, initial adsorption sites, observed ge nanostructures, sample bias voltages, various ge nanostructures