Resumen

Las heterouniones metal/semiconductor y óxido conductor transparente (TCO)/semiconductor han surgido como una modalidad eficaz en la fabricación de dispositivos fotoeléctricos. Esta revisión sigue un cambio reciente hacia la ingeniería de capas de TCO y sustratos de Si estructurados, incorporando nanopartículas metálicas para el desarrollo de dispositivos fotoeléctricos de próxima generación. Se han secuenciado avances beneficiosos que ayudan a aumentar la eficiencia y reducir el coste, basándose en tecnologías eficientes implicadas en la fabricación de nuevos sustratos, capas de TCO y electrodos. Las propiedades eléctricas y ópticas de las películas finas de óxido de indio y estaño (ITO) y de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) pueden mejorarse estructurando la superficie de las capas de TCO. Las capas de TCO incrustadas con nanopartículas de Ag se utilizan para mejorar el efecto plasmónico de captura de la luz con el fin de aumentar la naturaleza de recolección de energía de los dispositivos fotoeléctricos. Las estructuras de nanopilares de Si, fabricadas mediante una técnica sin fotolitografía, se utilizan para aumentar la región de superficie activa a la luz. La importancia de la estructura y el área de los electrodos frontales y el efecto de la temperatura en la unión son los debates de valor añadido de esta revisión.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:capas tco, dispositivos fotoeléctricos, región de superficie activa, naturaleza de la captación de energía, óxido de indio y estaño, sustratos si estructurados, óxido conductor transparente, efecto, revisión, nanopartículas ag
• Keywords:tco layers, photoelectric devices, active surface region, energy harvesting nature, indium tin oxide, structured si substrates, transparent conductive oxide, effect, review, ag nanoparticles