Resumen

Demostramos un efecto de memoria en puntos cuánticos (QD) de InAs/Al0,9Ga0,1As autoensamblados cerca de la temperatura ambiente. La capa de QDs está incrustada en un transistor de efecto de campo dopado con modulación (MODFET) que permite cargar y descargar los QDs y leer su estado lógico. Los tiempos de almacenamiento de huecos en los QDs disminuyen de segundos a 200 K a milisegundos a temperatura ambiente.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanomaterials
• Palabras claves:qds, temperatura ambiente, tiempos de almacenamiento de agujeros, capa qd, disminución qds, transistor de efecto, estado lógico, efecto memoria, puntos cuánticos, al0.9ga0.1as
• Keywords:qds, room temperature, hole storage times, qd layer, qds decrease, effect transistor, logic state, memory effect, quantum dots, al0.9ga0.1as