Resumen

Los materiales semiconductores III-V de nanohilos (NW) poseen una combinación de propiedades fascinantes, como su banda prohibida directa sintonizable, su elevada movilidad de portadores, su excelente flexibilidad mecánica y una relación superficie-volumen extraordinariamente grande, lo que los convierte en los mejores candidatos para la electrónica, la fotónica y los sensores de próxima generación, incluso posiblemente en sustratos flexibles. Por lo tanto, es crucial comprender la síntesis, la manipulación de propiedades y la integración de dispositivos de estos materiales III-V NW para su aplicación práctica. En esta revisión, presentamos una visión general de los últimos avances en los NW III-V, centrándonos en su síntesis rentable, el correspondiente control de propiedades y las aplicaciones relevantes de dispositivos de baja potencia operativa. En primer lugar, presentaremos los métodos de síntesis y los mecanismos de crecimiento de los NWs III-V, haciendo hincapié en la técnica de bajo coste de deposición química en fase vapor con fuente sólida (SSCVD), y a continuación discutiremos las propiedades físicas de los NWs III-V, prestando especial atención a su dependencia de varios factores típicos, incluyendo la elección de los catalizadores, los diámetros de los NWs, la rugosidad de la superficie y las decoraciones superficiales. A continuación, presentamos varios ejemplos diferentes en el ámbito de la energía fotovoltaica de alto rendimiento y de los prototipos de circuitos electrónicos de baja potencia para seguir demostrando las posibles aplicaciones de estos materiales de NW. Hacia el final, también hacemos algunas observaciones sobre los progresos realizados y los retos pendientes en el campo de la investigación de los NW III-V.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:iii, v nws, v nw campo de investigación, deposición química en fase vapor fuente, v nw materiales, v nanohilos semiconductores, prototipos de circuitos electrónicos, excelente flexibilidad mecánica, alta movilidad de portadores, electrónica de próxima generación
• Keywords:iii, v nws, v nw research field, source chemical vapor deposition, v nw materials, v semiconductor nanowire, electronic circuit prototypes, excellent mechanical flexibility, high carrier mobility, next generation electronics