Resumen

Este artículo presenta el impacto de los tamaños de disposición de los transistores de alta movilidad (HEMT) de heteroestructura de Al0,27Ga0,73N/AlN/Al0,04Ga0,96N/GaN sobre el sustrato de SiC en sus características, que incluyen la tensión umbral, la transconductancia máxima, la frecuencia característica y la frecuencia de oscilación máxima. Los parámetros cambiantes incluyen el número de dedos de la puerta, la anchura de la puerta por dedo. Los resultados de las mediciones basadas en dispositivos de fuente común demuestran que los parámetros mencionados tienen diferentes efectos sobre la tensión umbral, la transconductancia máxima y las características de frecuencia.

• Materias:Electromagnetismo Redes de telecomunicaciones Radiofrecuencia Teoría de Antenas Redes Inalámbricas Ondas de radiofrecuencia
• Subjects:Electromagnetism Telecommunications networks Radio frequency Antenna theory Wireless Networks Radio frequency waves
• Palabras claves:transconductancia máxima, tensión de umbral, tamaño de al0.27ga0.73n, número de dedos de compuerta, heteroestructura gan hemt, impacto de la disposición, impacto del papel presente, frecuencia máxima de oscilación, tamaño de la disposición, transistor de movilidad
• Keywords:maximum transconductance, threshold voltage, size of al0.27ga0.73n, gate finger number, gan hemt heterostructure, impact of layout, paper present impact, maximum oscillation frequency, layout size, mobility transistor