Los CNT se proponen como un candidato prometedor frente al cobre en las interconexiones de circuitos integrados submicrónicos profundos. Sin embargo, esta tecnología aún está en pañales. La mayor parte de la literatura disponible sobre predicciones de rendimiento de las interconexiones de CNT se ha centrado únicamente en geometrías de interconexión que utilizan CNT segregados. Sin embargo, durante la fase de fabricación, los CNT se obtienen normalmente como una mezcla de CNT de pared simple y de pared múltiple (SWCNTs y MWCNTs). Especialmente en el caso de los SWCNTs, suelen obtenerse como una mezcla de CNTs semiconductores y CNTs metálicos. Este trabajo intenta responder si la segregación es inevitable antes de utilizarlos para construir interconexiones. En este artículo se intenta comparar las variaciones de rendimiento de las interconexiones de CNT agrupados, en las que los CNT agrupados se segregan frente a los CNT mezclados, para los futuros nodos tecnológicos mediante un análisis basado en modelos eléctricos. También se ha introducido una mezcla proporcional de diferentes CNT con el fin de obtener un conjunto de criterios que ayuden a la industria a seleccionar una estructura de haz adecuada para su uso en una aplicación específica con un rendimiento óptimo. Se comprobó que incluso el peor rendimiento de las geometrías que utilizaban una mezcla de SWCNTs y MWCNTs era mejor que el del cobre. Estos resultados también revelan que, para extraer una matriz de coste vide de rendimiento óptimo, hay que centrarse más en la síntesis controlada por diámetro que en la segregación.
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