Resumen

Demostramos el impacto de las trampas de interfaz semiconductor/óxido (ITs) en las características de CC y CA de los transistores de efecto de campo de túnel (TFETs). Utilizando las herramientas de simulación Sentaurus, mostramos los impactos de la distribución de la densidad de trampas y el tipo de trampa en el TFET de doble puerta (DG-) tipo n. Los resultados muestran que los IT de tipo donante y aceptor tienen una gran influencia en la característica de CC en el midgap. Los IT de tipo donante y aceptor tienen un mecanismo diferente de las características de encendido. El desplazamiento de la banda plana cambia de forma evidente y diferente en el análisis de CA, lo que se traduce en un contraste del desplazamiento del pico del condensador de Miller C gd para los TFET de tipo n con IT de tipo donante y aceptor.

• Materias:Ingeniería electrónica Comunicaciones Ópticas Redes Inalámbricas Procesamiento de señales asistido por computador Procesamiento de datos
• Subjects:Electronic engineering Optical communications Wireless Networks Signal processing computer-assisted Data processing
• Palabras claves:aceptor, como su, condensador de miller c gd, cambios de desplazamiento de banda plana, herramientas de simulación sentaurus, trampas de interfaz de óxido, distribución de densidad de trampas, tfets, donante, tipo
• Keywords:acceptor, like its, miller capacitor c gd, flat band shift changes, sentaurus simulation tools, oxide interface traps, trap density distribution, tfets, donor, type