Presentamos un sensor de gas semiconductor basado en In2O3 mesoporoso (m-In2O3). El m-In2O3 se fabricó con éxito mediante un sencillo proceso sol-gel, utilizando el copolímero en bloque PE6800 como plantilla blanda. Los resultados de la detección de gases revelan que el m-In2O3 preparado a temperatura ambiente muestra una mayor resistencia, lo que desempeña un papel clave en su mayor sensibilidad. La estructura porosa del material influye en la adsorción de gas en la superficie del material, lo que a su vez afecta al tiempo de respuesta-recuperación del sensor de gas.
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