Resumen

Sintetizamos grafeno monocapa a partir de un precursor líquido (borato de triisopropilo) mediante deposición química en fase vapor. Para la caracterización de las muestras se utilizaron medidas de microscopía óptica, microscopía electrónica de barrido, espectroscopía Raman y espectroscopía de fotoelectrones de rayos X. Se investigaron los efectos de la temperatura y el tiempo de procesamiento, así como de la presión de vapor del precursor. Se investigaron los efectos de la temperatura y el tiempo de procesado, así como la presión de vapor del precursor. Los espectros XPS de nivel de núcleo B1s revelaron la presencia de átomos de boro incorporados en sitios sustitucionales. Este resultado, corroborado por el desplazamiento hacia arriba observado de las bandas G y 2D en los espectros Raman, sugiere el dopaje p del grafeno monocapa para las muestras preparadas a 1000°C y presiones en el rango de 75 a 25 mTorr del vapor precursor. Nuestros resultados muestran que, en condiciones óptimas para el crecimiento de grafeno monocapa, es decir, 1000°C y 75 mTorr durante 5 minutos, obtuvimos muestras que presentan la coexistencia de grafeno prístino con regiones de grafeno dopado con boro.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:muestras, capa de grafeno, medidas de espectroscopia de fotoelectrones de rayos, deposición química de vapor, crecimiento de la capa de grafeno, espectros xps de nivel, mtorr, bandas 2d, núcleo b1s, microscopía óptica
• Keywords:samples, layer graphene, ray photoelectron spectroscopy measurements, chemical vapor deposition, layer graphene growth, level xps spectra, mtorr, 2d bands, b1s core, optical microscopy