Resumen

El artículo se compone de distintas revisiones sobre diversas tecnologías de fabricación de la familia CMOS y la caracterización de condensadores MOS. La parte inicial del artículo presenta esencialmente una revisión sistémica de un trabajo ya realizado sobre diferentes tecnologías de fabricación como Si MOSFET, SiGe HBT e InP HBT. El rendimiento a nivel de dispositivo y de circuito para aplicaciones de banda ancha y de ondas milimétricas sintonizadas se analiza en detalle en relación con las tecnologías CMOS subyacentes. Se comparan varios parámetros de rendimiento de dispositivos n-MOSFET de 180 nm, 130 nm y 90 nm para HBT de SiGe e InP. En la última parte del estudio, se lleva a cabo una revisión exhaustiva de una investigación realizada previamente sobre la caracterización eléctrica y física de los condensadores metal-óxido-semiconductores (MOS) fabricados en una capa epitaxial de germanio de 2,5 μm crecida sobre un sustrato de silicio (100). El estudio se centra en la influencia de la preparación de la superficie de germanio en las características eléctricas de los MOS. Se observa que el recocido de la deposición predieléctrica (HfO) en ambiente de NH3 mejora el rendimiento en parámetros críticos y clave como el espesor de óxido equivalente y la corriente de fuga de puerta.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:resultados en ambiente nh3, diferentes tecnologías de fabricación, capa de germanio epitaxial, espesor de óxido equivalente, corriente de fuga de puerta, preparación de la superficie de germanio, diversas tecnologías de fabricación, diversas métricas de rendimiento, mos, estudio
• Keywords:nh3 ambience results, different fabrication technologies, epitaxial germanium layer, equivalent oxide thickness, gate leakage current, germanium surface preparation, various fabrication technologies, various performance metrics, mos, study