Resumen

En este trabajo se estudia el crecimiento, la caracterización estructural y la conductividad de nanohilos de InP dopados con Si crecidos por epitaxia de haces moleculares asistida con Au. Se demuestra que el dopaje con Si reduce la longitud media de difusión de los adátomos en la superficie lateral de los nanohilos y, en consecuencia, reduce la velocidad de crecimiento de los nanohilos y favorece el crecimiento lateral. Se mide una resistividad tan baja como 5,1±0,3×10-5 Ω-cm para nanohilos altamente dopados. Se discuten dos mecanismos de incorporación de dopante: incorporación vía partícula catalizadora e incorporación directa en las paredes laterales del nanohilo. Se demuestra que el primer mecanismo es menos eficiente que el segundo, dando lugar a una distribución radial no homogénea del dopante.

• Materias:Análisis electroquímico Nanopartículas Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanoparticles Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system Nanotubes
• Palabras claves:distribución radial no homogénea del dopante, mecanismos de incorporación del dopante, superficie lateral de los nanohilos, longitud media de difusión, epitaxia de haces moleculares, velocidad de crecimiento de los nanohilos, nanohilos inp, dopaje si, partícula catalizadora, estudios de conductividad
• Keywords:inhomogeneous radial dopant distribution, dopant incorporation mechanisms, lateral nanowire surface, mean diffusion length, molecular beam epitaxy, nanowire growth rate, inp nanowires, si doping, catalyst particle, conductivity studies