Resumen

El método de deposición en baño químico (CBD) es muy importante para la velocidad de reacción. Generalmente, la velocidad puede controlarse ajustando la concentración del agente tampón. Se han preparado nanocristales de CdS sobre una matriz de pilares nanoporosos de silicio (CdS/Si-NPA) mediante el método CBD. Variando la concentración de agente tampón, se pueden ajustar las velocidades de reacción. Los picos de difracción de CdS hexagonal y Cd se pueden observar debido a la reducción de Cd2 causada por la matriz de pilares nanoporosos de silicio. El tamaño medio de los nanocristales de CdS disminuye con el aumento de la concentración de agente tampón y las brechas de banda óptica de los nanocristales de CdS aumentan. A partir de la fotoluminiscencia de CdS/Si-NPA, se puede observar que las emisiones azules son independientes de la concentración de agente tampón y las emisiones verdes muestran un desplazamiento hacia el azul con el aumento de la concentración de agente tampón.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas Nanoestructuras
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles Nanostructures
• Palabras claves:concentración de agente tampón, matriz de pilares nanoporosos, nanocristales de cds, deposición en baño químico, huecos de banda óptica, cds, npa, silicio, método cbd, tamaño medio
• Keywords:buffer agent concentration, nanoporous pillar array, cds nanocrystals, chemical bath deposition, optical band gaps, cds, npa, silicon, cbd method, average size