Resumen

Se utilizan diferentes tiempos de grabado para grabar obleas de silicio. Se investigan los efectos de la morfología de la superficie en el tiempo de vida de los portadores minoritarios de las obleas, la calidad de la pasivación y el rendimiento de las células solares de heterounión (HJ). El número de montañas y valles, definidos como puntos de inflexión, en las superficies de las obleas se utiliza para explicar las variaciones del tiempo de vida de los portadores minoritarios. Para una oblea con una cantidad menor de puntos de inflexión, la calidad de la pasivación del silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) puede ser comparable a la pasivación ideal con solución de yodo-etanol. Si la oblea tiene una cantidad notable de puntos de inflexión, el tiempo de vida del portador disminuye, ya que la capa de a-Si:H no podrá depositarse bien en los puntos de inflexión. Además, la simulación PC1D indica que se alcanza una eficiencia de conversión óptima del dispositivo de 21,94 a un tiempo de grabado de 60 min, en el que se obtiene la mejor combinación de corriente de cortocircuito y tensión de circuito abierto.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:puntos, calidad de la pasivación, variaciones del tiempo de vida de los portadores minoritarios, eficiencia óptima de conversión del dispositivo, tiempo de vida de los portadores minoritarios de la oblea, pasivación con solución de etanol, oblea, capa h, simulación pc1d, silicio amorfo
• Keywords:points, passivation quality, minority carrier lifetime variations, optimal device conversion efficiency, wafer minority carrier lifetime, ethanol solution passivation, wafer, h layer, pc1d simulation, amorphous silicon