Resumen

Se ha investigado la influencia de la irradiación γ en las propiedades de emisión de luz de nanocristales de silicio incrustados en una película de SiO2. Se demostró que pequeñas dosis de irradiación γ (103-105 rad) conducen a una mejora de la intensidad de fotoluminiscencia en las muestras nc-Si/SiO2. Este efecto se explicó por la pasivación inducida por la radiación de los centros activos de recombinación en la superficie de los nanocristales. Altas dosis de irradiación (~107 rad) conducen a una disminución de la intensidad de fotoluminiscencia de hasta 2 veces. El tratamiento por irradiación de películas de óxido de silicio con inclusiones de silicio amorfo incrustadas sólo dio lugar a la disminución de la intensidad de fotoluminiscencia dentro de todo el rango de dosis (103-5 × 107 rad). Los defectos de radiación que dan lugar a un apagado parcial de la fotoluminiscencia se caracterizan con la energía de activación distribuida de recocido con la posición del pico en ~0,96 eV y el factor de frecuencia 107 s-1. Se discute la naturaleza de tales defectos y los mecanismos de su creación.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:intensidad de fotoluminiscencia, irradiación, rad, inclusiones de silicio amorfo, propiedades de emisión de luz, películas de óxido de silicio, dosis altas, defectos de radiación, tratamiento de radiación, muestras de sio2
• Keywords:photoluminescence intensity, irradiation, rad, amorphous silicon inclusions, light emission properties, silicon oxide films, high doses, radiation defects, radiation treatment, sio2 samples