Resumen

Se utilizaron capas orgánicas de PVP recubiertas por hilado como capas dieléctricas en TFTs a-IGZO. Se utilizaron relaciones de peso de 20 :1, 10 :1, y 5 :1 para PVP y PMF, un agente reticulante. Los TFT de a-IGZO con una proporción de PVP :PMF de 20 :1 mostraron una gran histéresis en la curva I-V y en la curva C-V, la histéresis aumenta con el incremento de grupos hidroxilo y también deterioró la corriente de fuga de puerta. Por el contrario, los dispositivos con la relación PVP :PMF de 5 :1 sólo mostraron una pequeña histéresis. Según nuestros resultados experimentales, evitar la posible difusión de especies contenidas en hidroxilos en los dieléctricos poliméricos es un factor muy importante para mejorar las propiedades eléctricas de los dispositivos TFT a-IGZO de alto rendimiento.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:pvp, igzo tfts, relación pmf, curva v, dispositivos igzo tft, corriente de fuga de puerta, capas orgánicas pvp, relaciones de peso, capas dieléctricas, propiedades eléctricas
• Keywords:pvp, igzo tfts, pmf ratio, v curve, igzo tft devices, gate leakage current, organic pvp layers, weight ratios, dielectric layers, electrical properties