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The Influence of Oxygen Substitution on the Optoelectronic Properties of ZnTeInfluencia de la sustitución por oxígeno en las propiedades optoelectrónicas del ZnTe

Resumen

Comunicamos resultados teóricos de las propiedades estructurales, electrónicas y ópticas de Z n O x T e 1 - x ( 0 ≤ x ≤ 1 ) en la estructura de zincblenda. Los cálculos se realizan utilizando el método de ondas planas aumentadas linealizadas de potencial completo (FP-LAPW), basado en la teoría del funcional de la densidad (DFT). Las propiedades estructurales se calculan con GGA simple (PBEsol), mientras que las propiedades electrónicas y ópticas se calculan con mBJ-GGA. El mBJ-GGA se utiliza para tratar adecuadamente el orbital d activo en su capa de valencia. La aleación ZnOTe presenta un elevado desajuste de red y, en consecuencia, las constantes de red y los módulos de masa se desvían en gran medida del comportamiento lineal. Los bandgaps calculados están de acuerdo con los valores medidos experimentalmente, donde la naturaleza de los bandgaps es directa para todo el rango de x excepto en x = 0.25 . También calculamos el parámetro de bandgap bowing a partir de nuestros bandgaps precisos y resolvemos la controversia existente en este parámetro.

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