Resumen

El Cu2SnS3 es un material semiconductor de banda estrecha. Tiene propiedades ópticas y eléctricas adecuadas que lo convierten en una potencial capa absorbente de células solares. En este trabajo, se obtuvieron con éxito películas delgadas de Cu2SnS3 mediante la sulfuración de películas delgadas de CuSnS2 depositadas por sputtering de magnetrón de RF a temperaturas de 350-425°C durante 2 h en una atmósfera de sulfuro de hidrógeno y nitrógeno. Se investigó la influencia de la temperatura de sulfuración en las propiedades eléctricas y ópticas de las películas delgadas de Cu2SnS3. Los resultados experimentales muestran que las películas delgadas de Cu2SnS3 sulfuradas a una temperatura de 425°C presentan mejores propiedades que las demás. La movilidad y la resistividad de las películas de Cu2SnS3 son de 9 cm2/V-s y 3 Ω-cm, respectivamente. Y su brecha de banda óptica se estima en unos 1,77 eV.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:película delgada, brecha de banda óptica, material semiconductor de brecha, atmósfera de hidrógeno, película delgada cu2sns3, capa absorbente potencial, película delgada cusns2, célula solar, propiedad óptica, temperatura de sulfuración
• Keywords:thin film, optical band gap, gap semiconductor material, atmosphere of hydrogen, cu2sns3 thin film, potential absorber layer, cusns2 thin film, solar cell, optical property, sulfurization temperature