Se utilizaron las técnicas OM (microscopía óptica) y EBSD (difracción de retrodispersión de electrones) para estudiar la microestructura y la distribución de la textura durante la recristalización primaria bajo diferentes temperaturas de recocido intermedio en aceros al silicio CGO. Se analizó el efecto de la temperatura de recocido intermedia sobre la distribución de la textura en el acero eléctrico al 3% de Si. Los resultados indican que la microestructura en la matriz de recristalización primaria del acero al silicio CGO está compuesta por granos de ferrita equiaxados. El tamaño medio de grano de la recristalización primaria aumenta con el aumento de la temperatura de recocido intermedio. La textura de fibra γ es el componente dominante en la matriz de recristalización primaria. A mayor temperatura de recocido intermedio, la textura 111 121 y la textura 111 110 aumentan y la textura 111 121 es más fuerte que la textura 111 110. Se observa que la textura Goss disminuye primero y luego aumenta. El contenido de límites de grano de alto ángulo en la matriz de recristalización primaria se ve afectado por la temperatura de recocido intermedio. Cuando se aumenta la temperatura de recocido intermedio, los límites de grano de alto ángulo aumentan primero y luego disminuyen. La distribución de la misorientación en la matriz recristalizada primaria también se ve afectada por la temperatura de recocido de recristalización primaria. El contenido de los límites de grano de alto ángulo se incrementa debido a una mayor temperatura de recocido de recristalización primaria, lo que puede ser un beneficio para el crecimiento anormal de los granos Goss en la recristalización secundaria.
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