Resumen

Se ha estudiado la influencia de las fases secundarias de ZnS y Cu2SnS3 (CTS) en el material absorbente Cu2ZnSnS4 (CZTS) calculando los desplazamientos de banda en las interfaces de heterounión multicapa CTS/CZTS/ZnS a partir del cálculo de la estructura de bandas de primeros principios. La heterointerfaz ZnS/CZTS es de tipo I y, dado que el ZnS tiene una brecha de banda mayor que la del CZTS, se predice que la fase ZnS en el CZTS son barreras resistivas para los portadores. La heterointerfaz CTS/CZTS es de tipo I; es decir, la brecha de banda del CTS se encuentra dentro de la brecha de banda del CZTS. Por lo tanto, la fase CTS actuará como un lugar de recombinación en CZTS.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:czts, cts, zns, heterointerfaz czts, brecha de banda, interfaces de heterounión multicapa zns, cálculo de estructura de banda de primeros principios, brecha de banda mayor, tipo, fase cts
• Keywords:czts, cts, zns, czts heterointerface, band gap, zns multilayer heterojunction interfaces, first principles band structure calculation, larger band gap, type, cts phase