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Influence of Impurities on the Radiation Response of the TlBr Semiconductor CrystalInfluencia de las impurezas en la respuesta a la radiación del cristal semiconductor TlBr

Resumen

Se utilizaron dos sales de TlBr disponibles en el mercado como materia prima para el crecimiento de cristales que se utilizarán como detectores de radiación. Previamente, las sales de TlBr se purificaron una, dos y tres veces por el método Bridgman repetido. La eficacia de la purificación se evaluó mediante espectroscopia de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS), después de cada proceso de purificación. Se propuso un modelo compartimental para ajustar la concentración de impurezas en función del número de repeticiones de los crecimientos Bridgman, así como para determinar los coeficientes de segregación de las impurezas en los cristales. La estructura cristalina, la estequiometría y la morfología superficial de los cristales se evaluaron, sistemáticamente, para los cristales crecidos con diferentes números de purificación. Para evaluar el cristal como detector semiconductor de radiación, se realizaron mediciones de su resistividad y espectroscopia de rayos gamma, utilizando fuentes de 241Am y 133Ba. Se observó una mejora significativa de la respuesta a la radiación en función de la pureza del cristal.

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Información del documento

  • Titulo:Influence of Impurities on the Radiation Response of the TlBr Semiconductor Crystal
  • Autor:Robinson Alves, dos Santos; Carlos Henrique, de Mesquita; Júlio Batista Rodrigues, da Silva; Caue de Melo, Ferraz; Fabio Eduardo, da Costa; João Francisco Trencher, Martins; Roseli Fernandes, Gennari; Margarida Mizue, Hamada
  • Tipo:Artículo
  • Año:2017
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi
  • Materias:Cinética Industria del cemento Metales Cemento Ingeniería de estructuras Perforación de pozos de minas
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