Resumen

El transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) es una buena opción para sustituir al silicio en aplicaciones de bajo consumo. Investigaciones recientes demuestran que las propiedades térmicas y eléctricas del CN-FET se alteran con la longitud, el diámetro y los parámetros de la puerta. La optimización de los parámetros de diseño de los CNTFET ayuda a controlar algunos de estos factores. Se han introducido diseños de puerta doble y cilíndrica para superar estos hechos. Los nanotubos de carbono tienen una intercapacitancia entre ellos que aumenta a medida que aumenta su diámetro. La capacitancia y la inductancia totales de los CNTFET aumentan con el número de nanotubos. Para reducir la caída de tensión entre los terminales semiconductores y metálicos, hay que aumentar el diámetro y el paso. Este estudio emplea la metodología de superficie de respuesta y la técnica ANOVA que se utilizaron para optimizar los parámetros del proceso CNTFET. Se consideraron el grosor, el voltaje, el retardo y la potencia. Se investigó el parámetro que más afectaba.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:aplicación de bajo consumo, parámetros de diseño del cntfet, parámetros de proceso del cntfet, disposición cilíndrica de las compuertas, metodología de superficie de respuesta, diámetro, técnica anova, nanotubos de carbono, doble compuerta, investigación reciente
• Keywords:low power consumption application, cntfet design parameters, cntfet process parameters, cylindrical gate layouts, response surface methodology, diameter, anova technique, carbon nanotubes, double gate, recent research