El objetivo de este trabajo es analizar la influencia tanto de la temperatura del módulo como de la distribución del espectro solar en el rendimiento en exteriores de las siguientes tecnologías de capa fina: silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H), teluro de cadmio (CdTe), sulfuro de cobre, indio, galio y selenio (CIGS), y heterounión de silicio amorfo hidrogenado y silicio microcristalino hidrogenado (a-Si:H/μc-Si:H). Una campaña experimental de 12 meses llevada a cabo en un lugar soleado del interior en la que se probó y midió al aire libre un módulo de cada una de estas tecnologías ha proporcionado los datos empíricos necesarios. Los resultados muestran que la temperatura del módulo ejerce una influencia limitada en el rendimiento de los módulos a-Si:H, CdTe y a-Si:H/μc-Si:H ensayados. En cambio, el comportamiento en exteriores del módulo CIGS es el más afectado por su temperatura. Los espectros ricos en azul mejoran el comportamiento en exteriores de los módulos a-Si:H y a-Si:H/μc-Si:H, mientras que en el caso del módulo CIGS ocurre lo contrario. Sin embargo, el espécimen CdTe muestra poca sensibilidad a la distribución del espectro solar. De todos modos, los efectos espectrales son escasamente relevantes sobre una base anual, oscilando entre ganancias para el módulo CIGS (1,5%) y pérdidas para el módulo a-Si:H (1,0%). Sin embargo, el impacto estacional de la forma del espectro es más notable en estos dos materiales; de hecho, los problemas espectrales pueden causar ganancias o pérdidas de rendimiento de hasta un 4% cuando se consideran los periodos de invierno y verano.
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