Resumen

Los dispositivos MOSFET SOI con cuerpo ultradelgado (UTB) y cuerpo a escala nanométrica (NSB), que comparten un W/L similar pero con un grosor de canal de 46 nm y menos de 5 nm, respectivamente, fueron fabricados utilizando un proceso selectivo de rebaje de compuerta en la misma oblea de silicio. Sus características corriente-voltaje medidas a temperatura ambiente resultaron ser sorprendentemente diferentes en varios órdenes de magnitud. Analizamos este resultado considerando la grave degradación de movilidad y la influencia de una enorme resistencia en serie, y encontramos que esta última parece más coherente. Luego, las características eléctricas del NSB pueden derivarse analíticamente integrando una resistencia en serie entre drenador y fuente dependiente del voltaje de compuerta. En este artículo, se informa por primera vez sobre la influencia del grosor del canal en la resistencia en serie. Esta influencia se integra al modelo analítico con el fin de describir las tendencias de la corriente de saturación con el grosor del canal

• Materias:Circuitos Comportamiento eléctrico Microcontrolador Topología de lógica Transistores
• Subjects:Circuits Electrical behavior Microcontroller Logic topology Transistors
• Palabras claves:Cuerpo ultradelgado; Cuerpo a escala nanométrica; Dispositivos SOI-MOSFET; Espesor del canal; Resistencia en serie; Degradación de la movilidad
• Keywords:Ultrathin body; Nanoscale body; SOI-MOSFET devices; Channel thickness; Series resistance; Mobility degradation