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Influence of Electric Field Coupling Model on the Simulated Performances of a GaN Based Planar NanodeviceInfluencia del modelo de acoplamiento del campo eléctrico en las prestaciones simuladas de un nanodispositivo planar basado en GaN

Resumen

Las prestaciones de un nanodispositivo planar basado en un gas de electrones bidimensional (2DEG) se estudian mediante un modelo combinado bidimensional-tridimensional (2D-3D) y un modelo totalmente 2D. En ambos modelos, los 2DEG se representan mediante el método de ensemble Monte Carlo (EMC) 2D. Sin embargo, las distribuciones de campo eléctrico en los dispositivos se obtienen resolviendo de forma autoconsistente las ecuaciones de Poisson 2D y 3D para el modelo 2D y el modelo 2D-3D, respectivamente. Los resultados de la simulación obtenidos por ambos modelos son prácticamente iguales a sesgo bajo, mientras que muestran diferencias distinguibles a sesgo alto. El modelo 2D predice una mayor corriente de salida y un voltaje umbral ligeramente superior de las oscilaciones Gunn. Aunque las frecuencias fundamentales de las oscilaciones de corriente obtenidas por ambos modelos son similares, la desviación de la forma de onda respecto a la forma de onda sinusoidal obtenida por el modelo 2D es más grave que la obtenida por el modelo 2D-3D. Además, los resultados obtenidos por el modelo 2D son más sensibles tanto a las condiciones de polarización como al cambio de los parámetros del dispositivo. Curiosamente, se ha observado una oscilación de segundo armónico similar a la obtenida con polarización DC. Atribuimos el origen de las divergencias en los resultados de la simulación a la diferente trayectoria de acoplamiento del campo eléctrico en los dos modelos. Además, las oscilaciones de segundo armónico en polarización CC deben ser el resultado de la aparición de oscilaciones concomitantes junto al canal excitado por fuertes efectos de campo eléctrico.

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