Resumen

La producción de películas de Si policristalino (poli-Si) de grano grueso sobre sustratos de vidrio recubiertos con capas conductoras es esencial para fabricar células solares de capa fina de Si de alta eficiencia y bajo coste. Se investigó cómo la elección de la capa conductora afectaba a la capa de poli-Si formada sobre ella por cristalización inducida por Al (AIC) a baja temperatura (500°C). La orientación cristalina de la capa de poli-Si resultante dependía en gran medida del material de la subcapa: (100) era preferible para el ZnO dopado con Al (AZO) y el óxido de indio y estaño (ITO); (111) era preferible para el TiN. Este resultado sugiere una nucleación heterogénea del Si en la capa inferior. El tamaño medio de grano de la capa de poli-Si alcanzó casi 20 µm en las muestras de AZO e ITO y no menos de 60 µm en la muestra de TiN. Así pues, elegir adecuadamente el material de la capa inferior es esencial en AIC y permite formar películas de Si de grano grande a bajas temperaturas con una orientación cristalina establecida. Estas capas de Si altamente orientadas con granos grandes parecen prometedoras para su uso como capas semilla para capas de absorción de luz de Si, así como para materiales funcionales avanzados.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:capa si, material de subcapa, materiales funcionales avanzados, tamaño medio de grano, capas si orientadas, orientación cristalina establecida, aic, azo, película, subcapa
• Keywords:si layer, underlayer material, advanced functional materials, average grain size, oriented si layers, set crystal orientation, aic, azo, film, underlayer