Se utilizó la deposición en baño químico asistida por microondas (MW-CBD) para depositar películas de nanorods de óxido de zinc (ZnO-NRs) utilizando diferentes tiempos de irradiación de microondas. Las películas presentan una buena cristalinidad con formación de fase wurtzita hexagonal. Aunque no se observó la orientación preferente dominante para el ZnO-5 y el ZnO-10, el ZnO-8 mostró una orientación preferente (002). El microscopio electrónico de barrido por emisión (FESEM) mostró nanorods hexagonales orientados casi al azar en la superficie. Se observó una ligera disminución de la longitud de los nanorods hexagonales observados debido al aumento del tiempo de irradiación, pasando de 550 nm a 300 nm. Se fabricaron los fotodiodos de heterounión p-Si/n-ZnO-NRs. Se investigaron las características de corriente-voltaje de estos fotodiodos en condiciones de oscuridad y con diferentes intensidades de iluminación. El aumento de la corriente inversa con el aumento de la intensidad de iluminación confirmó que los fotodiodos fabricados presentaban un comportamiento fotoconductor. Además, la altura de barrera y los valores de resistencia en serie de los fotodiodos se determinaron a partir de medidas de capacitancia-voltaje.
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