Resumen

Hemos estudiado el efecto del tratamiento superficial de los puntos cuánticos (QDs) CdS/CdSe mediante capas de pasivación ZnS y la temperatura de recocido sobre la resistencia a la recombinación de las células solares de puntos cuánticos (QDSSCs) basadas en fotoánodos TiO2/CdS/CdSe/ZnS. La resistencia a la recombinación en el contacto TiO2/QDs y en la película de TiO2 disminuyó cuando los QDs se añadieron a las capas de pasivación de ZnS. Además, utilizamos el enlazador de iones F- y encontramos las mejores condiciones de temperatura de recocido para reducir la resistencia a la recombinación de los QDSSCs. Como resultado, la densidad de corriente aumentó de 7,85 mA/cm2 a 14 mA/cm2.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:resistencia a la recombinación, capas zns, puntos cuánticos, enlazador de iones f-, cds, cdse, qdsscs, qds, tio2, cm2
• Keywords:recombination resistance, zns layers, quantum dots, f− ions linker, cds, cdse, qdsscs, qds, tio2, cm2